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 7/3  intel は 台湾の TSMC に 3nm プロセスにて 2つの プロセッサを委託製造。自社の製造プロセス遅延をカバーへ intel は 2017年に Skymont として投入される予定であった 10nm や その後の 7nm が 繰り返し遅延したことによる他社への優位性が失われたことにより、過去 Atom プロセッサ　C3xxx にて委託製造した TSMC にて 3nm プロセスで 2つのプロセッサを 2023~2024年に投入するとしている。 intel は製造プロセス技術にて長い間、世界のトップに君臨し続けていましたが、2017年10nmプロセスの 遅延により、急遽 Kaby Lake を投入、2018年には モバイル向けへ 10nm Cannon Lake を投入するも失敗、2019年にようやく 10nmプロセスで Ice Lake (モバイルのみ) を展開するも、動作クロックが思うように上がらず、アーキティクチャの改良技術を示すようなプロセッサの投入となりました。 そして 2020年にようやく動作クロックを満足するレベルへ上げられる 10nm SuperFin を投入、デスクトップ向けへは 14nm +++ or 14nm ++++ と Willow Cove アーキを組み合わせた 技術的実証プロセッサ のようなCPUを投入しました。 このように intel は "自社10nm" に手を焼く間に、ライバル企業はその差を詰め追い抜くことに成功、2021年現在、intel 10nm 同等の製造プロセスである TSMC 7nm を超える TSMC 5nm が製造、出荷され、intel は製造プロセス競争に完全に遅れたこと、再び世界トップの製造技術を得るまで時間が掛かることから 外部委託での製造 を決定。 そして今回 TSMC へ 3nm (N3) にて 2つのプロセッサ モバイルとサーバー向け製品の製造委託することとなりました。 これにより、intel は遅れにより失われた市場のシェアを取り戻す狙いです。 製品の投入は 2023~2024年とされています。 今後の intel + TSMC N3 に注目です。 ソース:  Intel Books Two 3 nm Processor Orders at TSMC Manufac

 3/31 TSMC は 2021年第4四半期から 5nm ファミリー の一つ N4 を製造へ TSMC は 5nm ファミリー 最後の N4 を第4四半期から生産開始するとされています。 5nm ファミリーは ・N5  ( 初期 5nm )  ・N5P ( 改良版 5nm ) ・N4 (  最終改良版 5nm ) となっており、N4 は TSMC 5nm の最終バージョンです。 TSMC 5nm の主要は Apple であることは変わらず、 今後 N5P や N4 も利用するとされており、今後の Apple SoC に注目です。 ソース:  TSMC to Enter 4 nm Node Volume Production in Q4 of 2021  (techpowerup)

 TSMC N6、N5、N5P、N4、N3 ・N6 → N7、N7Pの設計を流用可能かつ5層にEUV適用(N7+ 4層にEUV適用) ・N5 → N7比で15%の性能向上 or 30%の省電力化 15層にEUV適用済み ・N5P → N5比で5%の性能向上 or 10%の省電力化(2020/8/25 時点) ・N4 → 性能については現時点では不明 ・N3 → FinFETで製造、N5比で15%の性能向上 or 30%の省電力化(2020/11/28時点 最大20層 EUV適用) 5nmの受注80%?をAppleが占める 3nmも先行でappleが予約済み 2nmも予約か？ EUVは最先端プロセスで用いる場合、TSMCが唯一、ドライエッジングで製造しており、薬品の塗布、除去工程を最小化し、コスト、生産性共にトップクラスと思われる。(個人調べにつき、違う可能性あり) また、ArF液浸マルチパターニング箇所をEUVへ変更することにより、従来のパターニングがシングルで済むのも大きく、4回パターニングしている箇所の場合、EUV化で4分の1へ短縮される。 Samsung 5LPE、4LPE、3GAE ・5LPE →  7LPP比でで10%の性能向上 or 20%の省電力化 ・4LPE→ スキップ?      TSMC 10nmスキップの逆版?       (当時のSamsung 10nmを超えるべく10nmスキップし7nmへ移行した) ・3nm → GAAFETで製造、新EUV導入? ASML EUV NA(開口)0.55  Intel 14nm 14nm+ 14nm++ 14nm+++ 14nm++++ 10nm Nanoribbon Transistor ・14nm(BDW) → 14nm+(SKL)で5.5% 14nm++(KBL)で3.8% 14nm+++(CFL)で5.8% 14nm++++(CPX)で5.9%の性能向上 (やることが・・ やることが多い・・！) ・10nm SuperFin → 10nm比で18%の性能向上 ・Nanoribbon Transistor → 性能については現時点では不明　Intel最後の飛躍的技術進歩？ 各プロセスノードごとのトランジスタ密度 ・TSMC メーカー TSMC N7 TSMC N7+ TSMC N6 TSMC N5 ト