intel 2025年までの新ロードマップを公開、新ノード命名規則採用へ
7/27 intelは新たに2025年までのロードマップとノードの命名規則を公開しました。 ・ロードマップ 先ず、プロセスノードを従来の ○○ nm から intel 7 等へ変更。 これにより、他社の○○相当といった面から脱却し、更に intel 20A からは FinFET ですら無くなるため、より判りやすい指標へ変更するのはいい傾向と個人的に思う。 (細切れプロセスノード??何それ美味しいの??) 各ノード一覧 各ノード Perf/watt gain 特徴 生産 Intel 7 10~15% 旧名 intel 10nm Enhanced SuperFin 2021 Intel 4 20% 旧名 intel 7nm。 intel初のEUVを採用 2022 Intel 3 18% EUVの使用範囲を拡大 FinFETの更なる最適化 2023 Intel 20A N/A 従来のFinFETから RibbonFETへ移行。 PowerViaを採用し ウエハ裏面から 電力を供給 2024 Intel 18A N/A RibbonFETの改良。 ASMLと連携し High NA EUV の 導入を目指す 2025 ・intel 7 旧名は intel 10nm Enhanced SuperFin。 Tiger Lake に採用された 10nm SuperFin から 10~15% ワットパフォーマンスを改善。 Alder Lake 、 Sapphire Rapids に採用され、恐らくRaptor Lake も利用すると思われる。 2021H2から利用可能となる予定。 ・intel 4 旧名 intel 7nm intel初の EUV を採用し、Meteor Lake に採用される予定。 intel 7 比で 20%ワットパフォーマンスを改善するとされる。 2022H2から生産開始。 ・intel 3 FinFET最後のプロセス。 FinFETの最適化とEUV露光の使用範囲を増やす。 intel 4比で 18%のワットパフォーマンス改善が見込まれる。 2023H2から生産へ。 ・intel 20A "A"はオングストロームを表す。0.1nm単位で使用される。 新 RibbonFET を採用し、「PowerVia」を用いウェハ裏面から電力供給し、ウェハ