intel 2025年までの新ロードマップを公開、新ノード命名規則採用へ

 7/27 intelは新たに2025年までのロードマップとノードの命名規則を公開しました。


・ロードマップ

先ず、プロセスノードを従来の ○○ nm から intel 7 等へ変更。

これにより、他社の○○相当といった面から脱却し、更に intel 20A からは FinFET ですら無くなるため、より判りやすい指標へ変更するのはいい傾向と個人的に思う。(細切れプロセスノード??何それ美味しいの??)


各ノード一覧

各ノードPerf/watt gain特徴生産
Intel 710~15%旧名 intel 10nm
Enhanced SuperFin
2021
Intel 420%旧名 intel 7nm。
intel初のEUVを採用
2022
Intel 318%EUVの使用範囲を拡大
FinFETの更なる最適化
2023
Intel 20AN/A従来のFinFETから
RibbonFETへ移行。
PowerViaを採用し
ウエハ裏面から
電力を供給
2024
Intel 18AN/ARibbonFETの改良。
ASMLと連携し
High NA EUV の
導入を目指す
2025


・intel 7

旧名は intel 10nm Enhanced SuperFin。

Tiger Lake に採用された 10nm SuperFin から 10~15% ワットパフォーマンスを改善。

Alder Lake 、 Sapphire Rapids に採用され、恐らくRaptor Lake も利用すると思われる。

2021H2から利用可能となる予定。


・intel 4

旧名 intel 7nm

intel初の EUV を採用し、Meteor Lake に採用される予定。

intel 7 比で 20%ワットパフォーマンスを改善するとされる。

2022H2から生産開始。


・intel 3

FinFET最後のプロセス。

FinFETの最適化とEUV露光の使用範囲を増やす。

intel 4比で 18%のワットパフォーマンス改善が見込まれる。

2023H2から生産へ。


・intel 20A

"A"はオングストロームを表す。0.1nm単位で使用される。

新 RibbonFET を採用し、「PowerVia」を用いウェハ裏面から電力供給し、ウェハ表面は信号伝送を最適化する。

また、Qualcomm が intel 20Aの採用を決定している。

これはintelが新にファウンドリーとして参入したことで可能となった。

2024年から生産。


・intel 18A

intel 20Aの後継プロセス。

RibbonFETの更なる改良と ASMLと協力し High NA EUV を採用、生産ツールが導入される予定。

2025年から生産へ。


・Foveros

Lakefieldで初めて採用された3D積層技術。

Meteor Lake から改良された第2世代Foverosが使用される。第2世代への移行と共に bump pitch は36nmへ改良される。


更新中・・・


ソース: Intel Process Roadmap Through 2025: Renamed Process Nodes, Angstrom Era Begins (tomshardware)

ソース: Intel Rebadges 10nm Enhanced SuperFin Node as "Intel 7," Invents Other Creative Node Names (techpowerup)



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